Профессионалы считают, что новый процессор могут презентовать одновременно с анонсом флагманского телефона Самсунг Galaxy S8, который ожидается в конце марта. 1-ый чип серии Exynos 9 производится по 10-нанометровому техпроцессу, передаёт Ферра.
Флагман Самсунг Galaxy S8 должен стать первым телефоном на базе Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает SlashGear, чип не является первым использующим технологический процесс 10 нм и FinFET — Snapdragon 835 может похвастаться идентичным достижением. Но сама компания пока это официально не подтверждала.
Инсайдеры данной индустрии предполагают, что Самсунг выпустит два варианта флагманского решения: Exynos 9810V и Exynos 9810M. Они отличаются графическими чипами Mali-G71: в первом случае будет 18 вычислительных ядер, во втором 20.
Как до этого уже отмечалось, 10-нанометровый технологический процесс обеспечивает 30-процентное повышение эффективности применения площади, 27-процентное увеличение производительности и 30-процентное снижение энергопотребления. Он будет включать 4 ядра Mongoose M2 и 4 ядра Cortex A53. Процессор поддерживает 4K Ultra HD (4096 x 2160), 4K UHD VR, запись видео и проигрывание с максимальным разрешением 4K UHD на 120 кадрах за секунду.
Корейский СМИ докладывают, что Exynos 9810 будет иметь лучшую работоспособность и лучшее энергопотребление, чем Snapdragon 835, однако отсутствие поддержки широкого диапазона сети будет его недостатком.
По последним достоверным сведениям компании, новый 10нм процессор будет иметь на 30% лучшую эффективность, на 27% не менее высокую работоспособность и на 30% не менее небольшое потребление энергии.
Exynos 8895 снабжен отдельным вычислительным блоком для повышенной безопасности и управления мобильными платежами с применением сканера отпечатков пальцев либо радужной оболочки глаза. Оба процессора демонстрируют приблизительно однообразные результаты, однако посмотрим, как выйдет на самом деле на массовых устройствах.