Специалисты университета штата Пенсильвания разработали новый способ производства под высоким давлением больших листов тонкой пленки кремниевых полупроводников. Материал получают при низких температурах и в результате простых, в сравнении с существующими методиками, реакций.
Технология была подробно описана в статье Advanced Materials, опубликованной 13 мая.
«Мы разработали новую высоконапорную методику создания больших листов полупроводниковой пленки без использования плазмы», — сказал профессор Джон Баддинг – глава исследовательской команды. – «Проводя процесс под высоким давлением, мы получаем более простую и дешевую технологию производства материала, используемого в плоских мониторах и солнечных батареях».
Обычно кремниевые пленочные полупроводники получают путем химического вакуумного осаждения. Силан – газ, состоящий из кремния и водорода, проходит реакцию, при которой атомы этих веществ осаждаются тонким слоем на поверхности. Чтобы получился работоспособный полупроводник, этот процесс должен протекать при низких температурах. Тогда атомы водорода остаются в покрытии, а не испаряются. В существующих методиках для этого создается плазма, для получения которой используют массивные, дорогие реакторы и требуются большие объемы газа.
Новая технология позволяет проводить низкотемпературные реакции в меньшем пространстве. Для них также необходим меньший объем газа. Изменения впервые позволили создавать полупроводники одновременно на нескольких, уложенных штабелем поверхностях. Для увеличения обрабатываемой площади может использоваться гибкий, скатываемый в рулон материал, проходящий через простой, более компактный реактор. Размер готового изделия при дальнейшем развитии технологии способен достичь 1 кв. км.
Источник: rsute.ru